真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

　　载流子分析，CVD-TiN栅及对绝缘膜特性的影响，a205薄膜的低温制作与诸持性，PTFE低介质膜的制作，Zr2、SrZr03薄膜的制作与评价，受激准分子激光退火法与退火影响分析，多晶硅太阳能电池等。

　　高频氧等离子体制备氧化铝膜的微结构与光学常数〔刊〕/史守华//真空科学七技术学报。一2002，22(4)。303~306(L〉氧化锌薄膜制备技术的评价〔刊〕/刘坤//真空科学与详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法，包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原子层外延生长法。

　　阐述了这些方法的机理、沉积条件、所需的反应物以及制得的薄膜的性质。讨论并比较了各种方法的优缺点和应用于器件及工业生产的可能性。

　　参42应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究迸展〔刊〕/王平//真空科学与技术学报。一2002，22(4)。-274-28KL)本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。

　　对电子回旋共振等离子体(ECR)，感应耦合等离子体(ICP)，螺旋波等离子体(HWP)等几种新型的高密度等离子体源的工作原理及结构重点作了分析讨论，并从运行参数上对其进行了比较。

　　最后对高密度等离子体工艺加工的等离子体约束以及器件损伤问题的最新研究进展进行了介绍。